MDD辰达半导体推出的SOT-23电压基准芯片，采用先进的设计，能够VKA=37V的高电压输出，满足多种应用场景的需求。其IKA最大可达100mA，确保在高负载条件下依然稳定工作，为电路提供可靠的电源支持。该芯片的功耗能力高达300mW，使其在实际应用中表现出色，能够有效降低能量损耗，提高系统的整体效率消费电子、工业控制通信设备中，MDD辰达半导体的这款电压基准芯片都能为设计工程师提供理想的解决方案，助力产品的创新与升级。选择MDD辰达半导体，将体验到高性能、高可靠性的电压基准芯片，推动项目更快、更稳地向前发展。
辰达半导体SOT-23选型表
| 型号 | 参数 | 描述 |
| SI2302S | SOT-23 | SOT-23塑料封装MOSFET |
| MMBTA92 | SOT-23 | PNP IC（集电极最大电流）=-300mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 |
| MMBT3904 | SOT-23 | NPN IC（集电极最大电流）=200mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 |
| 2SC1623 | SOT-23 | NPN IC（集电极最大电流）=100mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 |
| S8050-J3Y | SOT-23 | NPN Ic=500mA Vceo=25V hfe=120~350 P=300mW SOT-23 |
| SS8550 | SOT-23 | PNP IC（集电极最大电流）=-1500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 |
| 2N7002K | SOT-23 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 |
| S8050 | SOT-23 | NPN IC（集电极最大电流）=500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 |
| MDD2301 | SOT-23 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 |
| S9014-J6 | SOT-23 | 晶体管（NPN） |
| AO3415 | SOT-23 | P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A |
| BSS84 | SOT-23 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 |
| MMBT3904-1AM | SOT-23 | 通用三极管 NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=200mW |
| TL431 | SOT-23 | VKA=37V，IKA=100mA，PD=300mW |
| S8550-2TY | SOT-23 | 三极管 PNP Ic=500mA Vceo=25V hfe=120~400 P=300mW SOT23 |
