电子设计中，电压基准芯片是确保电路稳定性和准确性的关键组件。LRC乐山无线电推出的SOT-23电压基准芯片，能够50ppm/°C的温度系数，能够在不同温度条件下保持优异的电压稳定性，适合高精度应用。该芯片的输出电压为2.5V，误差仅为±0.5%，确保了电路的可靠性和一致性。其SOT23-3封装设计，体积小巧，便于在空间有限的电路板上实现高密度布局消费电子、工业控制通信设备中，该电压基准芯片都能满足严格的性能需求，为设计提供强有力的支持。选择LRC乐山无线电的电压基准芯片，助力项目实现更高的精度与稳定性。
乐山无线电SOT-23选型表
| 型号 | 参数 | 描述 |
| LBSS84ELT1G | SOT-23 | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LBAS40-05LT1G | SOT-23 | 肖特基二极管 一对共阴极 VR=40V IF=120mA IR=10μA Cd=5pF SOT23 |
| LH8550QLT1G | SOT-23 | 功率(Pd)：225mW 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：1.5A 晶体管类型：PNP Vceo=-50V,Ic=-1500mA |
| LMBT5401LT1G | SOT-23 | PNP Ic=-500mA Vceo=-150V hfe=60~240 fT=100~300MHz SOT23-3 |
| L8550HRLT1G | SOT-23 | 功率(Pd)：225mW 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 晶体管类型：PNP PNP 25V 1.5A |
| L2SC3356LT1G | SOT-23 | 功率(Pd)：200mW 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：100mA 晶体管类型：NPN NPN |
| LMBTA56LT1G | SOT-23 | 驱动晶体管PNP硅 100nA 80V 225mW 100@100mA,1V 500mA 50MHz 250mV@100mA,10mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 |
| LP3401LT1G | SOT-23 | 30V P沟道增强型MOSFET |
| L8550HQLT1G | SOT-23 | SOT23 SMT 25V 150~300 |
| LMUN2213LT1G | SOT-23 | 偏置电阻晶体管 |
| LDTB123YLT1G | SOT-23 | 带有单片偏置电阻网络的PNP硅表面贴装晶体管 |
| L8050HRLT1G | SOT-23 | 功率(Pd)：300mW 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 晶体管类型：NPN NPN 25V 1.5A |
| LBC856BLT1G | SOT-23 | 通用三极管 SOT23-3 PNP Ic=100mA |
| LN2302BLT1G | SOT-23 | 20V N沟道增强型MOSFET |
| L2SC1623QLT1G | SOT-23 | NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：225mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：150mV@100mA,10mA 特征频率(fT)：250MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) |
