ROHM 150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术 解决了GaN器件的栅极耐压问题

   2024-08-01 IP属地 广东4

ROHM面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路,开发出针对150V耐压GaN HEMT(以下称“GaN器件”)的、高达8V的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)技术。

GaN HEMT

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